下载非易失性半导体存储器及其制造方法的技术资料

文档序号:3204416

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减小层叠栅极的电容耦合偏差的非易失性半导体器件,具有存储单元阵列,具有第一和第二栅极,第一棚极图形从元件形成区域上部分重合到元件分离绝缘膜上,与第一栅极相邻在元件分离绝缘膜上配置保护绝缘膜。减小了元件分离绝缘膜的埋入高宽比和元件分离宽度,加...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。

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