温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成ＰＮ接面的方法，包括：　　　　于一基底上形成一堆栈结构，该堆栈结构包括由下至上的一第一掺杂层、一介电层与一晶核层；　　　　于该基底上形成具有一开口的一绝缘层，该开口暴露出部分的该晶核层；　　　　于该开口中形成一第二掺杂层，该第二掺杂...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。