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本发明提供一种具有多样的金属硅化物的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一个半导体基底，一个位于基底的第一区的第一金属硅化物，以及一个位于基底的第二区的第二金属硅化物。其中，第一金属硅化物不同于第二金属硅化物。此外，第一金属硅化物和第二...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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