【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种半导体集成电路元件，特别是有关于一种具有金属硅化物的元件及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)业近年来进步非常迅速，使得IC元件不但越作越小，而且越作越复杂。然而，为了能制造出复杂的IC元件，有必要进一步研发IC制程。在金属氧化物半导体场效应管晶体管(MOSFET)中，经常采用金属硅化物来得到可靠的接触状况和低接触电阻。金属硅化物可以用来提供位于金属线和基底接触区域之间的介面，如多晶硅栅极、硅源极和硅漏极。在源/漏极区上设置金属硅化物可以降低位于金属接触与下方结构之间的路径的表面电阻(sheet resistance)。目前，各种晶体管均采用相同的金属硅化物，然而这些不同型式的晶体管(例如NMOS和PMOS)会因为所使用金属或硅化物型式的不同而具有不同的表面电阻。因此，有必要研究一种半导体元件及其制造方法，从而能够解决上述问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种，使位于同一芯片上的不同型式的晶体管具有相同的表面电阻，从而获得可靠的接触状况，并解决现有技术的缺点。为了实现上述目的，本专利技术提供一种具有多样的金属硅...
【技术保护点】
一种具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：一个半导体基底；一个第一金属硅化物，位于该半导体基底的第一主动区；以及一个第二金属硅化物，位于该半导体基底的第二主动区，其中该第一金属硅化物不同于该 第二金属硅化物，且该第一金属硅化物和该第二金属硅化物中的至少一个是合金金属硅化物。
【技术特征摘要】
US 2003-8-29 60/498,7591.一种具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括一个半导体基底；一个第一金属硅化物，位于该半导体基底的第一主动区；以及一个第二金属硅化物，位于该半导体基底的第二主动区，其中该第一金属硅化物不同于该第二金属硅化物，且该第一金属硅化物和该第二金属硅化物中的至少一个是合金金属硅化物。2.根据权利要求1所述的具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于所述第一金属硅化物是硅化镍、硅化钴、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化铂、硅化铒、硅化钯或其组合。3.根据权利要求1所述的具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于所述第二金属硅化物是硅化镍、硅化钴、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化铂、硅化铒、硅化钯或其组合。4.根据权利要求1所述的具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于所述第一主动区具有一个第一结构，所述第二主动区具有一个第二结构。5.根据权利要求4所述的具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于当所述第一结构包含一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管，则所述第二结构包含一个P型金属氧化物半导体场效应晶体管；当所述第一结构包含一个P型金属氧化物半导体场效应晶体管，则所述第二结构包含一个N型金属氧化物半导体场效应晶体管。6.根据权利要求5所述的具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于，所述第一结构和所述第二结构中的至少一个包括一个源极；一个漏极；以及一个栅极结构，该栅极结构包含一个栅极介电层和一个栅极电极。7.根据权利要求1所述的具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于所述第一金属硅化物的功函数约小于4.4eV，所述第二金属硅化物的功函数约大于4.7eV。8.根据权利要求1所述的具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于所述第一金属硅化物是一个第一合金硅化物，所述第二金属硅化物是一个第二合金硅化物。9.根据权利要求8所述的具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于所述第一合金硅化物包含具有第一摩尔组成的一个第一金属和一个第二金属，所述第二合金硅化物包含具有第二摩尔组成的该第一金属和该第二金属，其中，该第一摩尔组成不同于该第二摩尔组成。10.根据权利要求9所述的具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于所述第一金属是镍，所述第二金属是钴。11.一种具有多样的金属硅化物的半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤在一个半导体基底上的第一区和第二区沉积上一个第一金属层，其中该第一金属层包含至少一个第一金属；在该第一区和该第二区上沉积一个第二金属层，其中该第二金属层包含至少一个第二金属；选择性地移除位于该第二区中的该第一金属层与该第二金属层中的一个；以及在该第一区上形成包含该第一和第二金属的一个第一金属硅化物，以及在该第二区上形成包含未被移除的该第一金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：林俊杰，李文钦，杨育佳，林全益，胡正明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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