温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种静电放电保护装置的晶体管制造方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，其上可形成有隔离结构、掺杂井区、多晶硅栅极结构、轻离子掺杂区及作为源／漏极的重离子掺杂区等基本元件；　　　　在该半导体基底上形成一图案化光阻层，以此图...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。