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一种增加集成电路构装密度的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　在一半导体底材上形成一栅极结构；　　　　在紧邻该栅极结构的侧面形成一氧化薄层；　　　　在该氧化薄层上共形沉积一间隙壁材料；　　　　在该间隙壁材料上形成一氧化物，该氧化物具...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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