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一种深次微米制程的静电放电保护装置的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，其上可形成有隔离结构、掺杂井区、多晶硅栅极结构、轻离子掺杂区及作为源／漏极的重离子掺杂区等基本组件；　　　　在该半导体基底上形成一薄层，使其覆...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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