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一种可阻断寄生损失电流的高功率射频集成电路，其特征在于，其结构包括：　　　　一半导体基底，其上具有一主动区域及一隔离区域；　　　　复数个主动组件，其配置在该半导体基底的主动区域内；　　　　复数个隔离结构，其设置在该隔离区域内，且用以隔离所述...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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