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本发明在于提供夹断特性优良的、使用氮化物系化合物半导体的电子器件。在由氮化物系化合物半导体构成的电子器件的衬底上，交替层叠多层不同材料的薄缓冲层，通过抑制材料不同的缓冲层接触面附近带隙较小的层中的２维电子气的积累，抑制了泄漏电流的发生。...
该专利属于古河电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过古河电气工业株式会社授权不得商用。

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