温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜（５、６、９、１０、１３、１４、１７、１８、３、７、１１、１５、１９）和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区（２２），还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，...该专利属于株式会社瑞萨科技;松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技;松下电器产业株式会社授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜（５、６、９、１０、１３、１４、１７、１８、３、７、１１、１５、１９）和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区（２２），还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，...