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三维立体掩膜制造技术
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文档序号:3204152
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本发明公开了一种三维立体掩膜,通过增加掩膜上边界图案周缘的不透光层的厚度,增加入射光通过边界图案的路径长度,改善通过边界图案的入射光的光相干性,借此降低因为光干涉所造成的光学邻近效应,减少曝出的边界图案发生变形或是聚焦深度不足的问题,使三维...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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