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一种利用含硅－碳薄膜作为介电层的中间层的钨－铜内联机结构。在具有导电区的半导体基底上，先覆盖一绝缘层。该绝缘层上具有开口以露出该导电区。以钨插塞填充该介层洞以电性连结该导电区。该绝缘层与钨插塞上覆盖含硅－碳薄膜以及低介电常数介电层，其上有沟...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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