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一种改善内连线(Interconnect)结构的电性质量的方法,其在金属层及金属层所在的介电层上先形成蚀刻终止层(Etching Stop Layer)的前置层(Pre-layer),再利用例如电浆(Plasma)或电子束(E-beam...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种改善内连线(Interconnect)结构的电性质量的方法,其在金属层及金属层所在的介电层上先形成蚀刻终止层(Etching Stop Layer)的前置层(Pre-layer),再利用例如电浆(Plasma)或电子束(E-beam...