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一种处理栅极结构的方法，以改善电效能特性，此栅极结构包括高介电常数栅极堆栈介电层，此处理栅极结构的方法包括提供一栅极堆栈介电层于硅基底上，此栅极堆栈介电层包括一二元（ｂｉｎａｒｙ）氧化物；形成一多晶硅层于上述栅极堆栈介电层上；进行微影图案化...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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