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本发明涉及为半导体器件提供具有在控制电极（３）与第一和第二主电极延伸（４，５）之间的受控重叠的控制电极结构的而不必使用许多隔离物的方法。另外，该方法提供深腐蚀绝缘层（２）的步骤。该步骤是在无定形化和注入主电极延伸（４，５）之后执行的，因为使...该专利属于IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司授权不得商用。