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一种提供了用于形成功率半导体器件的方法，本方法首先提供第一导电类型的衬底，之后在衬底上形成电压维持区。通过在衬底上淀积第一导电类型的外延层并且在外延层中形成至少一个沟槽来形成电压维持区。至少一个具有第二导电类型的掺杂剂的掺杂柱位于外延层中，...
该专利属于通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用半导体公司授权不得商用。

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