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本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体器件（ＣＭＯＳ）结构及其制备方法。结构上特征是ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ处在不同的平面上，但在同一平面上仍是传统的平面ＭＯＳ晶体管，是一种ＣＭＯＳ结构。先在体硅或ＳＯＩ衬底上制备ＰＭＯＳ或ＮＭＯＳ，然后利用化学...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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