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根据本发明的一个方案，提供一种半导体器件的制造方法，包括：形成至少一个互连层，具有低介电常数绝缘膜（１）和埋置在低介电常数绝缘膜（１）中的互连（２）；形成在互连层中延伸的沟槽或孔（１２）；对具有沟槽或孔（１２）的互连层进行热处理；以及在沟槽...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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