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本发明披露了一种埋入式电容器介层窗的制造方法，此埋入式电容器具有一下电极、一电容介电层、一上电极及一抗反射层，其中，电容介电层、上电极及抗反射层组成埋入式电容器的侧壁，形成一介层窗，此一介层窗暴露出该埋入式电容器的侧壁。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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