温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种氮化穿隧氧化层的形成方法，包括：　　　　于一半导体基底上形成一氧化硅层，是作为一穿隧氧化层；　　　　进行一电浆氮化制程，以于该氧化硅层中植入氮原子；以及　　　　进行一热趋入制程，以使植入的该些氮原子扩散至整个该氧化硅层。...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。