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一种半导体的清洗方法，该清洗方法系适用于一闪存之一闸间介电层形成之后，该清洗方法包括：　　　　提供一半导体晶圆；　　　　于该半导体晶圆上形成一第一氧化硅层；　　　　于该第一氧化硅层上形成一浮置闸极层；　　　　于该浮置闸极层上形成一第二氧化硅...
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