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一种分离栅极型非易失性存储器的制造方法，其中生成控制栅极通过自对准工艺实现。该方法包括：在衬底上生成栅绝缘膜和导电层；在导电层上生成掩模图案使导电层露出；选择氧化露出导电层生成栅间氧化膜；除掉栅间氧化膜间的掩模图案来限定第二开口；在第二开口...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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