温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料Ｇｅ↓［ｘ］Ｓｂ↓［ｙ］Ｔｅ↓［（１－ｘ－ｙ）］化学机械抛光（ＣＭＰ）的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该ＣＭＰ纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、ｐＨ调节剂、纳米研磨料、...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料Ｇｅ↓［ｘ］Ｓｂ↓［ｙ］Ｔｅ↓［（１－ｘ－ｙ）］化学机械抛光（ＣＭＰ）的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该ＣＭＰ纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、ｐＨ调节剂、纳米研磨料、...