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一种氮化物只读存储器的制造方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基材，所述基材表面包含有一记忆区域及一外围区域；　　　　成长一垫氧层于所述半导体基材上；　　　　于所述记忆区域内的所述垫氧层上形成具多个第一开口的第一屏蔽图案，以作为多条纵向...
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