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一种具有缩小间距（Ｐｉｔｃｈ）的半导体元件的形成方法，其特征在于该方法包括以下步骤：　　　　　提供一基底；　　　　在该基底上形成一材料层；　　　　在该材料层上形成一光阻层；　　　　使该光阻层的顶面暴露在一处理辐射（Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　　Ｒａ...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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