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本发明公开了一种制造具有不同厚度氧化膜的半导体器件的方法，该方法包括：在衬底（３０１）上形成第一栅氧化膜（３０２）后，通过第一氧氮化工艺形成氮化层（３０３）。从衬底的薄膜部区上有选择地除去第一栅氧化膜。第二栅氧化膜形成工艺在薄膜部区中形成第...
该专利属于尔必达存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过尔必达存储器株式会社授权不得商用。

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