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一种静电放电保护器件及其制造方法，包括衬底、形成在衬底中的ｎ阱、形成在ｎ阱上的ｐ阱、形成在ｐ阱上的ＮＭＯＳ晶体管、以及形成在ｐ阱中的接地ｐ＋阱拾取器，该ＮＭＯＳ晶体管包括栅极电极、ｎ＋源极和ｎ＋漏极，其中ｎ阱连接至ＮＭＯＳ晶体管的ｎ＋漏极，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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