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本发明是一种形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法和所形成装置，此方法包括提出一基底，在基底上依序形成一浮置闸介电层、一浮置多晶硅闸层、一氮化硅层与一光阻层。并以光阻层作为蚀刻罩幕，蚀刻氮化硅层与浮置多晶硅闸层。在暴露区表面上形成一氧化层，...
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