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提供了一种包括薄膜晶体管（ＴＦＴ）的半导体集成电路及制造这种半导体集成电路的方法。该半导体集成电路可以包括在半导体衬底形成的体晶体管和体晶体管上的第一层间绝缘层。下ＴＦＴ可以在第一层间绝缘层上，以及第二层间绝缘层可以在下ＴＦＴ上。上ＴＦＴ可...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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