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本发明提供一种半导体器件的制造方法，能抑制结深浅的ＬＤＤ区域的杂质浓度的降低。具有在半导体衬底上形成的多个ＭＯＳ晶体管的半导体器件的制造方法，包括：在上述半导体衬底上，分别与上述多个ＭＯＳ晶体管相对应地形成多个栅极电极构造的工序；以及按上述...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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