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制造一种ＡＮＤ快闪存储器，其中存储单元由半导体衬底的ｐ型阱中形成的ｎ型半导体区（源极和漏极）以及三个栅极（包括浮动栅极、控制栅极以及选择栅极）构成。在制造中，砷（Ａｓ）引入到选择栅极的其中一个侧壁附近的ｐ型阱内以形成ｎ型半导体区（源极和漏极...
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