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本发明公开了一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置，由炉体、石墨底座、PBN坩埚和提升装置组成；所述炉体包括6个加热区域和控制加热区域温度的6个温控装置，从下到上依次为第一区、第二区、第三区、第四区、第五区和第六区；石墨...该专利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司授权不得商用。