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一种制造具有非易失性存储单元的半导体器件的方法，其包括形成作为存储单元的最上面／最外面部分的绝缘层，以提高存储单元的充电保持能力。绝缘层是在非易失性存储单元的栅极结构和栅极间电介质，以及逻辑晶体管的栅极形成之后形成的。因此，绝缘层增强了栅极...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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