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在将半导体衬底表面的反型层作为数据线利用的非易失性半导体存储装置中，可兼顾存储单元间特性离散的降低和位成本的降低。在ｐ型阱３内经氧化硅膜４以被埋入的形态形成多个辅助电极Ａ（Ａｎ、Ａｎ＋１），在硅衬底表面１ａ上形成的氧化硅膜（隧道绝缘膜）５的...
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