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本发明提供一种具有一非挥发性存储器系统，包括ｐ型半导体基底、ｐ型半导体基底上的氧化层、氧化层上的氮化层、氮化层上的增加的氧化层、增加的氧化层上的栅极、ｐ型半导体层中的两Ｎ↑［＋］连接区，以及个别地形成在Ｎ↑［＋］连接区中的源极与漏极。在非挥...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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