电子电路、系统、非挥发性存储器及其操作方法技术方案

本发明专利技术提供一种具有一非挥发性存储器系统，包括ｐ型半导体基底、ｐ型半导体基底上的氧化层、氧化层上的氮化层、氮化层上的增加的氧化层、增加的氧化层上的栅极、ｐ型半导体层中的两Ｎ↑［＋］连接区，以及个别地形成在Ｎ↑［＋］连接区中的源极与漏极。在非挥发性存储器中有第一位与第二位，因而至少有两种操作状态。亦即，在非挥发性存储器的一个位可以是在抹除状态或是在程序化状态。在非挥发性存储器的栅极注入电子可抹除一位，而于一位中注入电洞或减少电子可程序化位。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体存储元件，且特别是有关于一种非挥发性半导体存储单元，例如闪存，及操作数个热电洞注入氮化电子储存器而程序化的(programming by hot hole injection nitride electronstorage，PHINES)存储单元的方法。
技术介绍
非挥发性数据储存的存储元件，目前被广泛使用。典型的非挥发性半导体存储元件包括只读存储器(read only memory，ROM)、可程序只读存储器(programmable read only memory，PROM)、可抹除且可程序只读存储器(erasable programmable read only memory，EPROM)、可电除且可程序只读存储器(electrically erasable programmable readonly memory，EEPROM)与快闪可电除且可程序只读存储器。快闪可电除且可程序只读存储器与可电除且可程序只读存储器类似，皆可被程序化(亦即写入)与可被电除，但增加的可以瞬间抹除所有存储单元的能力。可电除且可程序只读存储半导体存储器的广泛使用，促使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子电路，其特征是，该电子电路包括：一非挥发性存储器，包括一ｐ型半导体基底、位于该ｐ型半导体基底之上的一第一绝缘层、位于该第一绝缘层之上的一陷入层、位于该陷入层之上的一第二绝缘层、位于该第二绝缘层之上的一栅极，在该ｐ型半导体基底 中的二Ｎ↑［＋］连接区，以及个别地形成在该些Ｎ↑［＋］连接区上的一源极与一漏极；在该非挥发性存储器的至少一位中的该陷入层在一抹除状态中可被操作以保留电子，使该非挥发性存储器具有一启始电压，与在一读取操作中的一读取电流；以及一 比较器，接收该读取电流产生的一第一输入讯息以及以一参考电压与一参考电流其中之一的类型的一第二输入...

【技术特征摘要】
US 2004-1-14 10/756,7771.一种电子电路，其特征是，该电子电路包括一非挥发性存储器，包括一p型半导体基底、位于该p型半导体基底之上的一第一绝缘层、位于该第一绝缘层之上的一陷入层、位于该陷入层之上的一第二绝缘层、位于该第二绝缘层之上的一栅极，在该p型半导体基底中的二N+连接区，以及个别地形成在该些N+连接区上的一源极与一漏极；在该非挥发性存储器的至少一位中的该陷入层在一抹除状态中可被操作以保留电子，使该非挥发性存储器具有一启始电压，与在一读取操作中的一读取电流；以及一比较器，接收该读取电流产生的一第一输入讯息以及以一参考电压与一参考电流其中之一的类型的一第二输入讯息。2.如权利要求1所述的电子电路，其特征是，在该抹除状态中该至少一位的该启始电压比在一程序化态中该至少一位的该启始电压还大。3.如权利要求1所述的电子电路，其特征是，在抹除状态中该至少一位的该读取电流比在一程序化态中该至少一位的该读取电流还小。4.如权利要求1所述的电子电路，其特征是，该第一绝缘层与该第二绝缘层包括氧化硅。5.如权利要求1所述的电子电路，其特征是，该陷入层包括氮化物。6.一种系统，其特征是，该系统包括一非挥发性存储器，包括一p型半导体基底，位在该p型半导体基底之上的一第一绝缘层，在该第一绝缘层之上的一陷入层，在该陷入层之上的一第二绝缘层，位在该第二绝缘层之上的一栅极，在该p型半导体基底中的二N+连接区，以及个别地形成在该些N+连接区上的一源极与一漏极；在该非挥发性存储器的至少一位中的该陷入层在一抹除状态中可被操作以保留一源极位与一漏极位其中之一的电子，使该非挥发性存储器具有一启始电压与在一读取操作中的一读取电流；以及一比较器，接收该读取电流产生的一第一输入讯息以及以一参考电压与一参考电流其中之一的类型的一第二输入讯息。7.如权利要求6所述的系统，其特征是，一偏压被供应至该源极与该漏极，以个别地读取该漏极位与该源极位。8.如权利要求6所述的系统，其特征是，电洞被注入至该漏极与该源极，以个别地程序化该漏极位与该源极位。9.如权利要求6所述的系统，其特征是，该漏极位与该源极位的其中之一在该抹除状态中的该启始电压比该漏极位与该源极位的其中之一在一程序化状态中的该启始电压还大。10.如权利要求6所述的系统，其特征是，该漏极位与该源极位的其中之一在该抹除状态中的该读取电流比该漏极位与该源极位的其中之一在一程序化态中的该读取电流还小。11.一种系统，具有一非挥发性存储器，其特征是，该系统包括一半导体基底，包括一源极、一漏极，以及当读取该非挥发性存储器时形成在该源极与该漏极之间的一通道；一第一绝缘层，在该通道之上；一不导电的陷入层，在该第一绝缘层之上；一第二绝缘层，在该不导电的陷入层之上；一栅极，在该第二绝缘层之上；以及；一第一位与一第二位，在该非挥发性存储器中；其中该非挥发性存储器的该不导电的陷入层在一抹除状态中保留电子。12.如权利要求11所述的系统，其特征是，更包括一第一电荷区与一第二电荷区，其中在该第一电荷区与该第二电荷区的一净电荷在该非挥发性存储器的一程序化状态中被降低。13.如权利要求11所述的系统，其特征是，更包括一穿隧层...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶致锴，陈宏岳，廖意瑛，蔡文哲，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]