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一种制造一半导体器件的方法技术
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文档序号:3200672
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本发明提出一种用于制成一半导体器件的门电极以将门极耗尽效应最小化的方法。该方法由一双重沉积处理构成,其中第一步骤是一极薄的层,该层通过离子植入受到极重的掺杂。第二次沉积以及一相关联的用于掺杂的离子植入则制作完成该门电极。借助该两次沉积处理,...
该专利属于山米奎普公司所有,仅供学习研究参考,未经过山米奎普公司授权不得商用。
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