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提供了一种具有气隙镶嵌结构的半导体器件的制造方法。该方法所包括的步骤：沉积和图形化易处理层（ＰＲ），在图形化的易处理层（ＰＲ）上沉积第一障碍层（ＢＬ１），沉积金属层（Ｍ１），平整所述金属层（Ｍ１），沉积第二障碍层（ＢＬ２），平整所述第二障碍...该专利属于ＩＭＥＣ公司;ＮＸＰ股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＩＭＥＣ公司;ＮＸＰ股份有限公司授权不得商用。
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