温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：淀积二氧化硅／氮化硅／二氧化硅三层复合介质；步骤２：光刻胶保护螺旋电感区域，暴露螺旋电感平面以外的区域；步骤３：湿法腐蚀顶层二氧化硅，干法刻蚀氮化硅及底层二...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。