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用在电荷陷阱非易失性存储器中的频谱位移的动作设计制造技术
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下载用在电荷陷阱非易失性存储器中的频谱位移的动作设计的技术资料
文档序号:3199331
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本发明提供一种可用重注入循环将其程式化,并且具有电荷陷阱结构的记忆胞。重注入循环包括一个程式化脉冲,其后再加上一个可让电子从电荷陷阱结构中跳出的电荷平衡脉冲。重注入循环会对电荷陷阱结构的电荷陷阱分布产生一个频谱蓝偏移效应。本发明提供的方法包...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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