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垂直ＭＯＳＦＥＴ包括一个半导体衬底，其中有一些半导体台面，它们被许多深条形沟槽分开。这些条形沟槽沿纵向沿第一方向平行伸过衬底。在这些深条形沟槽内形成一些埋入式绝缘源电极。还提供一些绝缘栅电极，它们平行伸过那些半导体台面并伸入在这些埋入式绝缘...
该专利属于硅半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅半导体公司授权不得商用。

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