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本发明促进了非易失半导体存储器件的缩小及其容量的增加。闪速存储器的每个存储单元由场效应晶体管组成，该场效应晶体管具有在ｐ型阱上形成的第一栅绝缘膜、在第一绝缘膜上形成的并且具有被二氧化硅膜（第一绝缘膜）覆盖的侧表面和顶表面的选择栅、以侧壁形式...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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