温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是一种金属氧化物半导体晶体管和其制造方法。所述金属氧化物半导体晶体管的制造方法，首先，提供一基底，基底上形成有栅极。以栅极为第一掩膜，布植基底。其后，形成至少两个第一间隙壁，分别邻接栅极的两侧。以栅极和第一间隙壁为第二掩膜，布植基底。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。