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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其目的在于，在ＤＴＭＯＳ中增大衬底偏置系数γ，实现进一步降低阈值电压。具备：Ｓｉ支持衬底；向支持Ｓｉ衬底（１）的表面层导入杂质形成的扩散层（６）；被配设在扩散层（６）上的埋入绝缘膜（２）；被配设在埋入...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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