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本公开涉及包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法。在一个示例性方面，本公开涉及用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底并在衬底之上形成目标层。通过以下步骤来形成图案化层：沉积具有有机组分的第一层，该有机组分具有包括至少50原子百分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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