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本公开涉及具有气隙的中段制程互连结构及其制造方法。本文公开了实现减小的电容和/或电阻的中段制程(MOL)互连以及用于形成该MOL互连的相应技术。示例性MOL互连结构包括布置在第一绝缘体层中的器件级接触件和布置在第一绝缘体层之上的第二绝缘体层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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