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公开了用于在基板上的材料层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)期间和之后减少斜面剥离的方法和设备。在一个实施例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将基板定位在处理腔室的处理容积中；用由处理气体形成的处理等离子体对基板的表面进行等离子体处...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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