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提供一种使用硅化锗牺牲层形成半导体器件的精细图形的方法以及使用该方法形成自对准接触的方法。形成半导体器件的自对准接触的方法包括在衬底上形成具有导电材料层、硬掩模层以及侧壁隔片的导电线结构，以及在衬底的整个表面上形成硅化锗（Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇ...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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