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一种具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，用于观察稀磁半导体材料中由于磁性离子引进的杂质和缺陷深能级与外加磁场相互作用信息，其特征在于，包括：一永久磁铁，该永久磁铁为圆柱形；一底板，该底板置于永久磁铁的下方；两块防护板，该防护板为矩形，该两防...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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