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本发明是关于一种于半导体装置中形成用于闸电极图案化的硬遮罩的方法及对应的装置，该方法包括提供欲蚀刻的一多晶硅层，以及在多晶硅层上方形成一氮化物硬遮罩，其中相较于氧化硅的蚀刻率，氮化物硬遮罩对稀氢氟酸具有相对高的蚀刻率。接着使用硬遮罩图案化多...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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